半導(dǎo)體存儲技術(shù)及市場 2016年09月27日10:32 來源：元器件交易網(wǎng)|

   半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NANDFlash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

 存儲器，作為半導(dǎo)體元器件中重要的組成部分，在半導(dǎo)體產(chǎn)品中，比重所占高達20%。作為一個重要的半導(dǎo)體產(chǎn)品類型。存儲器2015年全球半導(dǎo)體市場額為3352億美元，其中存儲器的銷售額為772億美元，存儲器在半導(dǎo)體產(chǎn)品中的占比為23%。中國作為全球產(chǎn)品的制造基地，一直以來都是存儲器產(chǎn)品最大的需求市場，根據(jù)賽迪顧問的研究，2015年中國大陸地區(qū)的半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模為2843億元（約400億美元）。

 圖1，全球半導(dǎo)體產(chǎn)品的銷售額和存儲器銷售額

 半導(dǎo)體存儲器市場被三星、海力士、美光等寡頭壟斷

 半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NANDFlash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

 （1）DRAM：全球市場規(guī)模約410億美元。目前DRAM行業(yè)基本被三星，海力士，美光三家壟斷了95%以上的市場。2014年，三星、海力士在先進制程上表現(xiàn)出眾，三星（Samsung）已大規(guī)模采用20nm工藝，毛利達42%，SK海力士則以25nm工藝為主，毛利率達40%，兩者獲利能力皆進一步提升，而美光的工藝則仍以30nm制程為主，毛利率約為24%，遠低于前兩家，故DRAM市場的壟斷格局有加劇之勢，尤其是三星，由于率先進入20nm量產(chǎn)時代，成功銷售不少高附加價值產(chǎn)品，2015年DRAM市場雖略有萎縮，但三星的營業(yè)收入反而逆勢生長，突破200億美元大關(guān)，并連續(xù)24年蟬聯(lián)DRAM半導(dǎo)體全球市占率第一。

 在移動DRAM市場上，三星與海力士的市占率超過80%，呈現(xiàn)壓倒性優(yōu)勢。

 圖2，2015Q1移動DRAM主流供應(yīng)商市占率

 （2）NANDFlash：全球市場規(guī)模約300億美元。NAND的壟斷形勢比DRAM更加嚴(yán)重，三星依然是行業(yè)龍頭，連續(xù)多年市占率維持在35%左右，東芝則和閃迪聯(lián)手，共同奪得了NAND領(lǐng)域第二的位子，市占率一般保持在30%左右；美光則擁有英特爾的幫助，排行第三；海力士在2011年市占率超過了美光，之后則將重心放在了DRAM方面，2012-14年連續(xù)三年排第四。上述四家公司壟斷了整個NAND市場，且壟斷程度呈上升趨勢，2011年到2014年期間，四大寡頭的NAND市占率由91.3%上升到了99.2%。

 圖3，2014NAND主流供應(yīng)商市場份額和市占率

 （3）NORFlash：全球市場規(guī)模約30億美元。相對DRAM和NAND來說，NOR市場要小的多，分散程度也更大，目前市場主要由美光、飛索半導(dǎo)體（被Cypress收購）、旺宏、三星、華邦、兆易創(chuàng)新、宜揚科技七家主導(dǎo)，前五家屬于IDM模式，后兩家屬于Fabless模式，其中兆易創(chuàng)新是我國唯一一家在主流存儲器設(shè)計行業(yè)掌握一定話語權(quán)的，其在NORFlash領(lǐng)域進步飛速，2012年還僅占市占率的3.4%，到2013年已躍居11%，位列全球第四。

 圖4，2013NorFlash主流供應(yīng)商市占率

責(zé)任編輯：田文杰