半導體存儲技術及市場 2016年09月27日10:32 來源：元器件交易網|

   半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而NANDFlash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

 存儲器，作為半導體元器件中重要的組成部分，在半導體產品中，比重所占高達20%。作為一個重要的半導體產品類型。存儲器2015年全球半導體市場額為3352億美元，其中存儲器的銷售額為772億美元，存儲器在半導體產品中的占比為23%。中國作為全球產品的制造基地，一直以來都是存儲器產品最大的需求市場，根據賽迪顧問的研究，2015年中國大陸地區的半導體存儲器市場規模為2843億元（約400億美元）。

 圖1，全球半導體產品的銷售額和存儲器銷售額

 半導體存儲器市場被三星、海力士、美光等寡頭壟斷

 半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而NANDFlash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

 （1）DRAM：全球市場規模約410億美元。目前DRAM行業基本被三星，海力士，美光三家壟斷了95%以上的市場。2014年，三星、海力士在先進制程上表現出眾，三星（Samsung）已大規模采用20nm工藝，毛利達42%，SK海力士則以25nm工藝為主，毛利率達40%，兩者獲利能力皆進一步提升，而美光的工藝則仍以30nm制程為主，毛利率約為24%，遠低于前兩家，故DRAM市場的壟斷格局有加劇之勢，尤其是三星，由于率先進入20nm量產時代，成功銷售不少高附加價值產品，2015年DRAM市場雖略有萎縮，但三星的營業收入反而逆勢生長，突破200億美元大關，并連續24年蟬聯DRAM半導體全球市占率第一。

 在移動DRAM市場上，三星與海力士的市占率超過80%，呈現壓倒性優勢。

 圖2，2015Q1移動DRAM主流供應商市占率

 （2）NANDFlash：全球市場規模約300億美元。NAND的壟斷形勢比DRAM更加嚴重，三星依然是行業龍頭，連續多年市占率維持在35%左右，東芝則和閃迪聯手，共同奪得了NAND領域第二的位子，市占率一般保持在30%左右；美光則擁有英特爾的幫助，排行第三；海力士在2011年市占率超過了美光，之后則將重心放在了DRAM方面，2012-14年連續三年排第四。上述四家公司壟斷了整個NAND市場，且壟斷程度呈上升趨勢，2011年到2014年期間，四大寡頭的NAND市占率由91.3%上升到了99.2%。

 圖3，2014NAND主流供應商市場份額和市占率

 （3）NORFlash：全球市場規模約30億美元。相對DRAM和NAND來說，NOR市場要小的多，分散程度也更大，目前市場主要由美光、飛索半導體（被Cypress收購）、旺宏、三星、華邦、兆易創新、宜揚科技七家主導，前五家屬于IDM模式，后兩家屬于Fabless模式，其中兆易創新是我國唯一一家在主流存儲器設計行業掌握一定話語權的，其在NORFlash領域進步飛速，2012年還僅占市占率的3.4%，到2013年已躍居11%，位列全球第四。

 圖4，2013NorFlash主流供應商市占率

責任編輯：田文杰